Cep telefonlarından enerji üretimine pek çok farklı alanda kullanılan yarı iletkenler teknolojik gelişmelerin temelini oluşturuyor. Yarı iletkenler üzerinde yapılan çalışmalar teknolojinin her alanındaki gelişmeye öncülük ediyor. IBM ve Samsung, transistörlerin dikey olarak dizildiği çip tasarımları ile yarı iletken teknolojisine yeni bir soluk getirerek teknolojik gelişmelere kapı aralıyor.
Yeni Çip Tasarımın Eskisinden Farkı Nedir?
Günümüzde yarı iletkenlerde transistörlerin yatay bir şekilde dizilmesine izin veren FinFET teknnolojisi kullanılıyor. Bu durum kullanılan transistör sayısını sınırlandırıyor. Transistör sayısının fazla olmasının çiplerin işlem hacmini genişlettiği düşünüldüğünde FinFET teknolojisi yetersiz kalıyor.
IBM ve Samsung'un en yeni yarı iletken tasarımı olan Dikey Aktarım Alan Etki Transistörü (Vertical Transport Field Effect Transistors) (VTFET) şu anda en gelişmiş çiplerde bile kullanılan FinFET teknolojisini geride bırakmayı amaçlıyor.
VTFET teknolojisi, transistörlerin alışılmışın aksine yan yana değil üst üste dizilmesiyle çiplerin daha fazla transistörle yoğun bir şekilde doldurulmasını sağlıyor. Bu durum VTFET teknolojisinin Moore yasasının transistörlerin sayısındaki istikrarlı artış hedefini de ileriye taşıyacağını gösteriyor. Üst üste dizilen transistörler aracılığıyla akım dikey bir yol izliyor.
VTFET Teknolojisi Hangi Alanlarda Kullanılacak?
VTFET çiplerinde kullanılan bu yeni teknolojinin IoT cihazlarından uzay araçlarına kadar pek çok alanda kendini göstermesi bekleniyor. Bu yeni teknolojinin cep telefonlarının batarya ömrünü bir haftaya kadar uzatması ve daha az enerji kullanılarak kripto para ya da data şifrelemesi yapılmasını sağlayacağı da düşünülüyor.
IBM, bu yılın başında tanıttığı ve FinFET teknolojisini kullandığı 2 nanometrelik çipinde transistörleri sıkıca yerleştirilerek çipe sığdırmayı amaçlamıştı. VTFET teknolojisinin bu tasarımı daha da ileri taşıması bekleniyor.
İntel’in ilk çok yönlü transistörü olma özelliğini taşıyan ve yaz aylarında ön izlemesi yapılan RibbonFET modeli şu anda FinFET teknolojisinin varisi kabul edilse de VTFET teknolojisinin RibbonFET’i geride bırakacağı düşünülüyor.
VTFET teknolojisinin gerçek tüketiciler tarafından kullanılacağı gün şu an için uzakta görünüyor ancak IBM ve Samsung, VTFET çiplerinin FinFET çiplerine göre performansı iki kat iyileştireceğini veya enerji kullanımında yüzde 85 azalma yakalayacağını vadediyor.
Bu habere henüz yorum yazılmamış, haydi ilk yorumu siz bırakın!...